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俄羅斯工業和貿易部和ISTC MIET制定了到2030年電子產品生產設備進口替代的大規模計劃。

新的計劃將國產65納米技術定于2030年實現。

據CNews報道，俄羅斯已撥款超過2400億盧布支持到2030年前替換外國芯片制造設備的大規模計劃 。

該計劃涉及啟動110個研發項目，以減少對進口晶圓廠設備的依賴，并最終采用 28 納米級工藝技術制造芯片。將25.4億美元的數字放在一起比較，這比該國在2025年與烏克蘭的戰爭中在國防上的支出少了57倍。

芯片制造本地化的廣泛計劃

俄羅斯芯片制造商——Angstrem、Mikron等——可以生產各種成熟節點的芯片，包括 65nm 和 90nm。在俄羅斯用于芯片的400種工具中，目前只有12%可以在本地制造。制裁進一步復雜化了這種情況，關鍵設備的成本上漲了40%-50%，因為必須走私到該國。為了降低成本并減少對外國工具的依賴，俄羅斯工業和貿易部 和貿易部以及 MIET(一家政府控制的公司)制定了一項計劃，重點是開發微電子生產所需約 70% 設備和原材料的國內替代品。

該計劃涵蓋芯片制造的各個方面，包括實際工具、原材料和電子設計自動化 工具。該項目將開發“20 種不同的技術路線”，例如從180nm到28nm的微電子、微波電子、光子學和電力電子。一些開發的技術還將用于光掩模生產和電子模塊組裝。

目標非常模糊

雖然該計劃的戰略目標看起來很明確，但細節看起來相當模糊，至少可以這么說。

預計到 2026 年底，俄羅斯將實現的重要里程碑之一是開發用于350nm和130nm工藝技術的光刻設備和用于150nm生產節點的電子束光刻設備。此外，俄羅斯計劃在幾年內開發化學氣相沉積外延設備。此外，到2026年底，俄羅斯工業和貿易部希望國內半導體行業能夠生產硅錠并將其切割成晶圓。

到2030年，俄羅斯的目標是生產出能夠處理65nm或90nm工藝技術的晶圓的國產光刻系統。這將大大提高該國生產微電子產品的能力，但仍將落后該行業 25-28 年。

這項新計劃顯然不如一年前發布的計劃那么雄心勃勃，該計劃將28nm定于2027年，將14nm制造工藝定于2030年 。然而，從未來幾年計劃開發的工具數量來看(沒有關于量產的消息)，這個計劃已經足夠雄心勃勃了。

該計劃設想開發各種類型的設備，包括15種控制和測量設備、13種等離子化學裝置、10種光刻系統、9種芯片封裝工具、8種光掩模制造工具、7種晶圓生產工具等。

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